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サムスン電子が今年下半期に発売予定の７世代Ｖ ＮＡＮＤが搭載された消費者用ソリッドステートドライブ（ＳＳＤ）製品。［写真 サムスン電子ニュースルーム］
メモリー半導体世界１位であるサムスン電子がＮＡＮＤ型フラッシュで２００段を超える８世代Ｖ ＮＡＮＤ技術を確保したと明らかにした。今後「１０００段Ｖ ＮＡＮＤ時代」にも超格差を維持して市場をリードするという自信も表わした。
サムスン電子のソン・ジェヒョク・フラッシュ開発室長（副社長）は８日、サムスン電子ニュースルームに投稿した寄稿文を通じて「サムスン電子はすでに２００段を超える８世代Ｖ ＮＡＮＤの動作チップを確保した」として「市場の状況と顧客のニーズに合わせて適正な時期に新製品を発表できるように準備している」と伝えた。
電源が切れてもデータが保存されるＮＡＮＤ型フラッシュは同じ大きさの中により多くのデータを保存するのが技術競争力のポイントだ。過去には限られた２次元の平面構造でチップの大きさを縮小しながらデータの保存空間を増やす方式だったので技術的に限界があった。
この限界を克服したのが、サムスン電子が２０１３年世界で初めて開発した３次元（３Ｄ）Ｖ ＮＡＮＤだ。平面構造を脱して垂直に積みあげた３次元空間に穴をあけ各階をつなげてデータの保存容量を増やした。現在、Ｖ ＮＡＮＤは半導体業界に普遍化した技術になった。２４段から始まったＶ ＮＡＮＤの段数は現在２００段に近接した。
ソン副社長は「段数を高めるほどＶ ＮＡＮＤは『高さの限界』にぶつかる」と説明した。むやみに段数を高くして積むのでなく、同じ高さの中でより多くの段数を積むのが技術リーダーシップのカギということだ。また「サムスン電子は一度に１００段以上を積みあげて１０億個を超える穴をあけられるシングルスタック・エッチング技術を確保した唯一の企業」として「高さの物理的限界を克服して超高段にいくことができる」と強調した。
サムスン電子が今年下半期に発売予定の７世代Ｖ ＮＡＮＤが搭載された消費者用ソリッドステートドライブ（ＳＳＤ）製品の場合、業界で最小セルサイズに選ばれる。３Ｄスケーリング技術で体積を３５％まで減らした。これは、米国マイクロンなど競争企業の６世代Ｖ ＮＡＮＤと似たような大きさだ。
大きさは減らしながら性能は強化した。最大２．０ギガビット毎秒（Ｇｂｐｓ）のデータ入出力性能と４世代直列構造の高速入出力インターフェースだけでなく、５世代インターフェース性能を備えた。また、３Ｄモデリング、映像編集など大容量の作業を同時に処理できるマルチタスキング機能を６世代より拡大した。
ソン副社長は「消費者用だけでなく、データセンター用ＳＳＤにも７世代Ｖ ＮＡＮＤを早く拡大・適用する方針」と伝えた。低電力ソリューションをベースに従来の世代に比べて電力効率を１６％引き上げるという計画だ。また「サムスン電子は１０００段積層Ｖ ＮＡＮＤも準備中であり、業界最高の信頼を得られる製品に進化していくだろう」と話した。
一方、サムスン電子は２００２年グローバルフラッシュメモリーで世界１位にのぼった後、１９年間トップの座を守っている。今年も１位を維持すれば、ＤＲＡＭに続いてＮＡＮＤフラッシュも「２０年連続１位」となる。今年１－３月期のＮＡＮＤ市場でサムスン電子は３３．５％のシェアで１位となった。２位である日本キオクシアとのシェアは１４．８％ポイントの差だった。
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