今年の秋夕（チュソク）の連休中、中国が独自技術で8ナノメートル級の半導体を製造できる深紫外線（DUV）露光装置を開発したというニュースが、中国のポータルサイトやSNSを中心に拡散し、台湾、香港、そして一部の韓国メディアでも報じられました。 しかし、このニュースは後に誤報であることが判明しました。一体なぜこのような誤解が生じたのでしょうか？ 今回は、中国の半導体製造技術の実態と、誤報騒動の背景について詳しく解説していきます。
中国発の8ナノ半導体製造報道はなぜ誤報になったのか？
今回の誤報の原因は、中国工業情報省が9月初めに公開した「2024年版重要技術設備普及リスト」に記載されていた、中国製のArf露光装置の技術指標に関する誤解でした。 リストには「解像度65ナノメートル以下、オーバーレイ精度8ナノメートル以下」と記載されていましたが、「オーバーレイ精度8ナノメートル以下」という部分を、8ナノメートル級の半導体製造が可能であるという意味に誤って解釈してしまったのです。
露光装置とは、半導体ウエハー上にレーザーを照射し、ナノメートル単位の微細な回路を刻む装置です。回路の幅を表す「解像度」と、多層構造の回路を重ねる際のずれを表す「オーバーレイ精度」は、どちらも重要な指標ですが、意味合いが異なります。 今回の誤報では、オーバーレイ精度を解像度と混同してしまったことが原因でした。
中国の半導体製造技術の現状
では、中国の半導体製造技術は実際にはどの程度のレベルなのでしょうか？
中国は近年、国の重要戦略として半導体産業の育成に力を入れており、多額の投資を行ってきました。 しかし、最先端の露光装置を製造するオランダのASMLなど、海外企業からの技術輸入に頼らざるを得ない状況が続いています。
今回の誤報で取り上げられた中国製の露光装置も、ASMLが2009年に発売した初期のDUVモデルと同程度の性能と見られています。 ASMLの最新DUV装置と比べると、解像度、オーバーレイ精度ともに大きく劣っており、中国の半導体製造技術が世界トップレベルに追いついていないことが分かります。
誤報騒動の背景にある中国の焦り
今回の誤報騒動は、米中対立の激化や西側諸国による半導体技術の輸出規制など、厳しい状況下で、技術的自立を急ぐ中国の焦りが背景にあると見られています。
近年、中国では、高度な技術を持つスタートアップ企業が資金調達に成功するケースが増えています。しかし、その中には、実際には技術力がないにもかかわらず、過剰な宣伝で投資家を集め、資金を集めた後に倒産したり、証券市場から追放されたりする企業も存在しています。
まとめ
今回の誤報騒動は、中国の半導体製造技術に対する期待と現実のギャップを浮き彫りにしました。 中国は、今後も半導体産業の育成に力を入れていくと見られますが、真の技術力向上のためには、地道な研究開発と人材育成が不可欠と言えるでしょう。
