ＳＫハイニックスの李錫熙（イ・ソクヒ）社長が２２日、「今後、ＤＲＡＭは１０ナノメートル（１ナノメートルは１０億分の１メートル）以下の工程に突入し、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリは６００層以上の積層が可能になる」と発表した。「成功したプラットフォームの革新が実現すれば１０年後」という前提だ。
李錫熙社長はこの日、米国電気電子学会（ＩＥＥＥ）が主管した国際信頼性シンポジウム（ＩＲＰＳ）の基調講演で「ＤＲＡＭとＮＡＮＤの各分野における技術進化のために、物質と設計構造を改善し、信頼性の問題も着々と解決している」と述べた。ＳＫハイニックスは昨年末、米マイクロンに続いて１７６層ＮＡＮＤ型フラッシュメモリの開発に成功している。ことし下半期には、極紫外線（ＥＵＶ）機器を活用し、第４世代の１０ナノ級（１ａ）ＤＲＡＭを生産する予定だ。
李社長は、ことしＳＫグループが力を入れている「フィナンシャル・ストーリー（Ｆｉｎａｎｃｉａｌ Ｓｔｏｒｙ）」を達成するための技術・社会・時代的価値も強調した。ファイナンシャルストーリーとは、顧客と投資家、市場などを対象に、会社の成長戦略と未来のビジョンを提示し、総体的価値を高めていくというＳＫの経営戦略だ。
李社長は、エネルギー・環境問題解決のための「社会的価値」に関して、「世界のすべてのデータセンターのＨＤＤ（ハードディスクドライブ）を２０３０年までに低消費電力のＳＳＤ（ソリッドステートドライブ）と交換すれば、二酸化炭素の排出量を９３％削減することができる」と述べた。「時代的価値」については、「ＡＩ（人工知能）技術をベースに、あらゆる機器が統合されるニューＩＣＴ（情報通信技術）の時代へと進化していくだろう」とし、「メモリ技術はニューロ・モーフィック半導体（脳神経を模倣した半導体）に、ストレージ技術はＤＮＡ（遺伝子）半導体のような形に統合されるだろう」との見方を示した。
