サムスン電子の李在鎔副会長が新年最初の業務開始日である４日、京畿道平沢にあるサムスン電子平沢第２工場を訪れ関係者らの説明を聞いている。［写真 サムスン電子］
米中貿易対立によりファウンドリー（半導体委託生産）事業が「ナッツクラッカー」の境遇に追いやられたサムスン電子が、メモリー半導体でも脅威を受けている。米マイクロンなど競合企業が積極的投資を通じて領土拡張に出る中でサムスン電子のシェア下落傾向が続いている。
サムスン電子はＤＲＡＭ市場では１９９２年から、ＮＡＮＤ型フラッシュは２００２年から世界トップを維持している。だが最近シェアは下落傾向だ。市場調査会社のオムディアが１９日に明らかにしたところによると、サムスンのＤＲＡＭ市場シェアは２０１６年の４６．６％から昨年は４１．７％に落ちた。４年連続でシェアが減った。これに対しマイクロンは同じ期間に２０．４％から２３．５％にシェアを伸ばした。ＳＫハイニックスも同じ期間に２５．６％から２９．４％に増えている。ＮＡＮＤ型フラッシュの事情も似ている。サムスン電子のシェアは２０１７年には３８．７％まで上がったが昨年は３３．９％まで落ち込んだ。日本のキオクシアは同じ期間に１６．５％から１８．９％に、マイクロンは１０．９％から１１．４％にそれぞれシェアを拡大した。
サムスン電子と後発走者とのシェア格差が狭まった根本的な理由は「技術格差」が減ったためだ。サムスン電子とマイクロンの技術格差が２年ならば、マイクロンの新製品はサムスン電子の２年前の価格で売らなければならない。だが技術格差が１年に減れば良い値段を付けられ売り上げが増える。韓国半導体産業協会のアン・ギヒョン専務は「技術が高度化するほど先頭圏企業の研究開発速度は遅くなるほかない。すると後発走者の追撃速度は速くなる。サムスン電子が強調してきた『超格差』が追いつかれ平準化する可能性も排除することはできない」と懸念する。
実際にサムスン電子は最近メモリー半導体市場で「世界初」のタイトルを相次いで競合会社に奪われた。マイクロンは昨年１１月に世界で初めて１７６層以上の３次元（３Ｄ）第７世代ＶＮＡＮＤを発売すると明らかにした。また、１月には世界で初めて第４世代（１ａ）１０ナノメートルＤＲＡＭの量産に成功したと発表した。サムスン電子は第１～３世代（１ｘ・１ｙ・ｌｚ）１０ナノＤＲＡＭ量産で世界初のタイトルを持っていた。
ＮＡＮＤ型フラッシュ市場では「王座」も脅威を受けている。トレンドフォースによると昨年１０－１２月期基準でサムスン電子のシェアは３２．９％で１位となり、キオクシアが１９．５％、ウエスタンデジタルが１４．４％、ＳＫハイニックスが１１．６％、マイクロンが１１．２％、インテルが８．６％と続いた。だがマイクロンとウエスタンデジタルが業界２位であるキオクシア買収を検討し、サムスンが守ってきた「不動の１位」が脅威を受けることになった。両社のうちどちらであれキオクシア買収に成功すればサムスン電子と釣り合う規模に浮上することになる。ＳＫハイニックスも９０億ドルを投じたインテルのＮＡＮＤ型フラッシュ事業部買収作業が仕上げに入った状態だ。
業界関係者は「サムスンが絶対強者の位置から降りマイクロン、ＳＫハイニックスとの三つ巴を避けるのは難しくなった」と話した。韓国半導体ディスプレー技術学会のパク・ジェグン会長は「サムスンはマイクロンと技術格差を広げるのが急務。半導体ナノプロセスと生産効率など技術分野で遅れを取ってはならない」と強調した。アン専務もやはり「メモリー半導体分野に果敢で積極的な投資を通じ研究開発速度を高めなければならない」と話した。
