サムスン電子の半導体核心技術を中国に持ち出した元社員が拘束
サムスン電子とその協力会社の半導体核心技術を中国の競合会社に無断で持ち出した元社員が15日に拘束されました。
ソウル中央地裁はこの日、サムスン電子の元部長と半導体装備納品業者ユジンテックの元チーム長に対し、産業技術保護法違反で拘束令状を発行しました。
技術流出の容疑
元部長は、2016年に中国の新興半導体企業であるCXMTに、サムスン電子の国家核心技術である18ナノDRAM半導体工程情報と、ユジンテックの先端技術である蒸着装備設計技術資料を持ち出した容疑がかけられました。元部長と共謀してCXMTに蒸着技術を提供した元チーム長も同日、拘束令状が請求されました。この検察捜査は、国家情報院の依頼を受けて5月に始まりました。
核心技術の重要性
蒸着技術は半導体の大きさを決定し、半導体の材料であるウエハー表面に非常に薄い膜を作り、電気的特性を持たせる技術です。これは通常、半導体会社の最も重要な機密に当たります。元部長は、サムスン電子で蒸着専門家として働いていました。
検察は、元部長が2016年にCXMTに転職し、自身の専門分野である蒸着に関連する資料だけでなく、他の8つの大工程に関する技術資料も提供したと考えています。元部長が最近創設した装備業者からは、8つの半導体工程に関連する文書ファイルなどが見つかったためです。
検察はまた、元部長が経験豊富なサムスン電子と関連企業の約20人の技術職に対して、最低5億ウォン以上の契約金を提示して人材の流出を試みたと考えています。中国の新興企業との技術格差が減ったことを考慮すると、推定被害額は約2兆3000億ウォンになる可能性があるとも主張されています。
検察は、元部長と元チーム長を確保し、技術流出に加担した彼らに対して追加捜査を行う方針です。
ソースリンク: 日本ニュース24時間
