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先月２６日に開かれたサムスン電子の１－３月期業績説明会（カンファレンスコール）。 ＵＢＳ証券アナリストのニコラス・ゴードワ氏が「１ｚＤＲＡＭの量産日程はどうなるか」と質問すると、サムスン電子メモリー事業部のハン・ジンマン副社長が尋ねてもいない回答を出した。「１ｚＤＲＡＭは１５ナノメートルＤＲＡＭのことをいうのですが」。瞬間カンファレンスコール参加者はびっくりしたという。「ミスではないか」という話まで出てきた。サムスン電子が公式席上で「１５ナノメートル」のようにＤＲＡＭの回路線幅を明らかにしたのは２０１５年２月以降で初めてだ。
◇サムスン、ＤＲＡＭ技術マーケティング本格化
ハン副社長のこの日の発言は「意図したもの」と確認された。５日の半導体業界によると、サムスン電子は今後自社ＤＲＡＭの回路線幅を正確に公開し技術競争を本格化することにした。回路線幅は半導体メーカーの技術力を示す代表的な尺度に挙げられる。狭いほど小さく電力効率性が高い半導体を作れるためだ。
この５～６年間の業界の慣行は具体的な回路線幅を公開しないということだった。２０１６年にＤＲＡＭ工程が１０ナノメートル台に入り、ＤＲＡＭメーカー同士で「ナノメートル単位の技術競争とマーケティングを自制しよう」という暗黙的な紳士協定を結んだ。工程難度が高いＤＲＡＭは回路線幅１ナノメートルを狭めるのにも２～３年がかかる。技術マーケティングの実益は大きくないのだ。
ＤＲＡＭメーカーはこうした理由からこの５～６年間回路線幅をあいまいに表現してきた。２０１６年に１０ナノメートル台のＤＲＡＭのうち最初に出てきた製品を「１ｘ」（第１世代１０ナノメートル）、２０１８年に登場した第２世代製品は「１ｙ」、第３世代は「１ｚ」と表現した。今年初めには第４世代を意味する「１ａ」まで登場した。
市場では１ｘは１０ナノメートル台後半、１ｚは１０ナノメートル台中盤程度と推定するだけだった。これに伴い、サムスン電子の１ｚＤＲＡＭとＳＫハイニックスの１ｚＤＲＡＭのスペック差に対しても具体的に把握しにくい状況だ。
◇激しい競争の中「技術優位」強調が目的
サムスン電子が６年ぶりに慣行を破り具体的に回路線幅を示した理由は何か。業界関係者は「自社のＤＲＡＭ技術力に対する自信を示し市場の混乱を減らすのが目的」と説明した。また、「サムスン電子が下半期に量産する１ａＤＲＡＭは１４ナノメートル」と伝えた。
業界ではサムスン電子が回路線幅公開を決めた本当の理由として、激しくなっているＤＲＡＭ産業の技術競争を挙げる。７ナノメートル以下のファウンドリー工程に主に活用された極端紫外線（ＥＵＶ）装備がＤＲＡＭ工程に使われるようになり、企業のプライドをかけたナノプロセス競争が進行中だ。台湾の南亜のような５位圏のＤＲＡＭメーカーなども１０ナノメートル台序盤のナノプロセス入りを推進するほどだ。
サムスン電子は２０１６年初めに第１世代１０ナノメートル（１ｘ）ＤＲＡＭの量産を最初に始めるなど技術競争でＳＫハイニックスやマイクロンなどライバル企業より６カ月～１年ほどリードした。２０１９年の１ｚＤＲＡＭ開発までこうした基調に変化はなかった。あえて回路線幅を具体的に公開しなくても「ＤＲＡＭ技術力はサムスン電子が最高」という話が通じた。
雰囲気が変わったのは第４世代１０ナノメートル（１ａ）ＤＲＡＭからだ。３位のマイクロンが１月に「１ａＤＲＡＭを世界で初めて開発・量産した」と電撃宣言した。業界と学界などでは「世界１位のサムスン電子がマイクロンに一発殴られた」という評価が出てきた。
◇ライバル企業は「突然なぜ？」ざわつく
サムスン電子ＤＳ（半導体部品）部門高位経営陣の間ではこうした評判に対し不満が相当なものと伝えられた。対外的に明らかにしていないが、サムスン電子メモリー事業部関係者らは１ｘ、１ｙ、１ｚＤＲＡＭのいずれも自社製品の性能が競合企業よりはるかに優れているという自負心を持っている。
マイクロンの１ａＤＲＡＭを「本当の第４世代製品」といえるのかに対する疑問も相当なものという。マイクロンが「技術誇張」に出たという話だ。マイクロンは開発・量産のニュースを発表したが製品写真などは公開していない。ある半導体学科教授は「同じ世代と呼ばれるＤＲＡＭでも主要３社の製品間には明確な技術格差がある。技術力で最もリードしていると評価されるサムスン電子が『数字』を公開したのはこれ以上同じ扱いを受けないと宣言したもの」と分析した。
ＤＲＡＭ競合企業はすっきりしない反応だ。サムスン電子の戦略修正により不本意ながらＤＲＡＭ業界の「技術マーケティング競争」がさらに激しくなると予想されるからだ。あるＤＲＡＭメーカー関係者は「内部では『サムスンが突然なぜ』という反応が出ている」としてやりにくそうな様子を示している。
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